1954840

SI1051X-T1-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI1051X-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1051X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-89-6
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

236mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

SI1051X-T1-GE3TR
SI1051XT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.45nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

8V
Descrição detalhada

P-Channel 8V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

-

O seguinte é "SI1051X-T1-GE3" produtos relacionados.

SI1046R-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1058X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V SC89

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1056X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1060-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI1046X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1039X-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1039X-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1056X-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1054X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1046R-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1061-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI1051X-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1058X-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1061-A-GMR

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI1054X-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1050X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1040X-T1-GE3

Descrição: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1040X-T1-E3

Descrição: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1050X-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI1060-A-GMR

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Registro antecipado

SI1051X-T1-GE3

Inquérito On-line

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

SI1046R-T1-E3

SI1058X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

SI1060-A-GM

SI1046X-T1-GE3

SI1039X-T1-GE3

SI1039X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

SI1054X-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

SI1061-A-GM

SI1051X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

SI1061-A-GMR

SI1054X-T1-E3

SI1050X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

SI1060-A-GMR

Selecione o idioma

Linguagem atual