SI1054X-T1-E3

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Especificações

Modelo do Produto

SI1054X-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1054X-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-89-6
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

95 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

236mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.57nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

N-Channel 12V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

-

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