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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI1078X-T1-GE3
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6354314Imagem SI1078X-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1078X-T1-GE3

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Disponível
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$0.48
10+
$0.373
100+
$0.256
500+
$0.175
1000+
$0.132
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI1078X-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SI1078X-T1-GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    142 mOhm @ 1A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    240mW (Tc)
  • Embalagem
    Original-Reel®
  • Caixa / Gabinete
    SOT-563, SOT-666
  • Outros nomes
    SI1078X-T1-GE3DKR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    2.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    1.02A (Tc)

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SI1070X-T1-E3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1082-A-GMR

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1083-A-GM

SI1083-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1084-A-GM

SI1084-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1071X-T1-E3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1069X-T1-GE3

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Descrição: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1083-A-GMR

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI1072X-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V SC89

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1082-A-GM

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
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Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
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Descrição: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI1073X-T1-E3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
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