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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI3483CDV-T1-GE3

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Imagem SI3483CDV-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3483CDV-T1-GE3

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500+

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1000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI3483CDV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI3483CDV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

34 mOhm @ 6.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Ta), 4.2W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SI3483CDV-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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