SI3483DV-T1-E3

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Especificações

Modelo do Produto

SI3483DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI3483DV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

35 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.14W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SI3483DV-T1-E3TR
SI3483DVT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

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Descrição: PSE POWER MANAGEMENT IC

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