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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI3588DV-T1-GE3

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Imagem SI3588DV-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3588DV-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI3588DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI3588DV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

80 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max

830mW, 83mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SI3588DV-T1-GE3DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.5A, 570mA
Número da peça base

SI3588

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