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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI3812DV-T1-E3

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Imagem SI3812DV-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3812DV-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI3812DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI3812DV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

LITTLE FOOT®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

830mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SI3812DV-T1-E3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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