Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4134DY-T1-GE3
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
1201302

SI4134DY-T1-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$0.334
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI4134DY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SI4134DY-T1-GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    14 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    SI4134DY-T1-GE3-ND
    SI4134DY-T1-GE3TR
    SI4134DYT1GE3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    27 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    846pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "SI4134DY-T1-GE3" produtos relacionados.
SI4136-BM

SI4136-BM

Descrição: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-F-BM

SI4136-F-BM

Descrição: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133T-GM

SI4133T-GM

Descrição: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4134DY-T1-E3

SI4134DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4136-BT

SI4136-BT

Descrição: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Descrição: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Descrição: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133M-EVB

SI4133M-EVB

Descrição: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Descrição: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133T-BM

SI4133T-BM

Descrição: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Descrição: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133GX2-BM

SI4133GX2-BM

Descrição: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133GX2M-EVB

SI4133GX2M-EVB

Descrição: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Descrição: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4134T-GM

SI4134T-GM

Descrição: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-EVB

SI4136-EVB

Descrição: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Descrição: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

Descrição: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4134T-BM

SI4134T-BM

Descrição: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4133WM-EVB

SI4133WM-EVB

Descrição: KIT EVAL FOR SI4133W-BM

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosNotíciasMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.