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SI4168DY-T1-GE3

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI4168DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4168DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4168DY-T1-GE3-ND
SI4168DY-T1-GE3TR
SI4168DYT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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