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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4442DY-T1-GE3
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SI4442DY-T1-GE3

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Disponível
2500+
$1.728
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI4442DY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SI4442DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    4.5 mOhm @ 22A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    1.6W (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    33 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    2.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta)

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Envio
Pagamento
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SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4438-C2A-GMR

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Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
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