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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4447ADY-T1-GE3
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SI4447ADY-T1-GE3

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Disponível
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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI4447ADY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SI4447ADY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    45 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    SI4447ADY-T1-GE3-ND
    SI4447ADY-T1-GE3TR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    32 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    970pF @ 20V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    P-Channel 40V 7.2A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Tc)

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrição: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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