Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4896DY-T1-E3

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

3478261

SI4896DY-T1-E3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$0.806

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI4896DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4896DY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

16.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.56W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4896DY-T1-E3TR
SI4896DYT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.7A (Ta)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

Envio

Pagamento

O seguinte é "SI4896DY-T1-E3" produtos relacionados.

SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Notícias Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.