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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI5401DC-T1-E3
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5779259Imagem SI5401DC-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5401DC-T1-E3

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SI5401DC-T1-E3
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    1206-8 ChipFET™
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Dissipação de energia (Max)
    1.3W (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SMD, Flat Lead
  • Outros nomes
    SI5401DC-T1-E3TR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    1.8V, 4.5V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    20V
  • Descrição detalhada
    P-Channel 20V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta)
SI5397A-A-GM

SI5397A-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5397A-A-EVB

SI5397A-A-EVB

Descrição: EVAL

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Descrição: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SI5396K-A-GM

SI5396K-A-GM

Descrição: DUAL PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Disponível

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