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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI5902BDC-T1-E3

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Imagem SI5902BDC-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5902BDC-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI5902BDC-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI5902BDC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Power - Max

3.12W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-SMD, Flat Lead
Outros nomes

SI5902BDC-T1-E3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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