SI5855CDC-T1-E3

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Especificações

Modelo do Produto

SI5855CDC-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI5855CDC-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

1206-8 ChipFET™
Série

LITTLE FOOT®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SMD, Flat Lead
Outros nomes

SI5855CDC-T1-E3-ND
SI5855CDC-T1-E3TR
SI5855CDCT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.7A (Tc)

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