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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI5922DU-T1-GE3

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Imagem SI5922DU-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5922DU-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI5922DU-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI5922DU-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® ChipFet Dual
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

19.2 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max

10.4W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Outros nomes

SI5922DU-T1-GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

765pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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