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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI8900EDB-T2-E1

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Imagem SI8900EDB-T2-E1.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8900EDB-T2-E1

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Disponível

3000+

$1.851

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI8900EDB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI8900EDB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1.1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

-
Power - Max

1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

10-UFBGA, CSPBGA
Outros nomes

SI8900EDB-T2-E1TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.4A
Número da peça base

SI8900

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