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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIA425EDJ-T1-GE3

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Imagem SIA425EDJ-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA425EDJ-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIA425EDJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIA425EDJ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SC-70-6 Single
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SC-70-6
Outros nomes

SIA425EDJ-T1-GE3DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 4.5A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

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