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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIA419DJ-T1-GE3

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Imagem SIA419DJ-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA419DJ-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIA419DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIA419DJ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SC-70-6 Single
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SC-70-6
Outros nomes

SIA419DJ-T1-GE3TR
SIA419DJT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Descrição: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descrição: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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