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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHA17N80E-E3

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Imagem SIHA17N80E-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHA17N80E-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHA17N80E-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

SIHA17N80E-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220 Full Pack
Série

E
RDS ON (Max) @ Id, VGS

290 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

35W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2408pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 15A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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