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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHG20N50C-E3

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Imagem SIHG20N50C-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG20N50C-E3

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$2.57

500+

$2.081

1000+

$1.755

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHG20N50C-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIHG20N50C-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247AC
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

270 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

250W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

SIHG20N50CE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2942pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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