SIS612EDNT-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SIS612EDNT-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIS612EDNT-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8S
Outros nomes

SIS612EDNT-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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