Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SISB46DN-T1-GE3
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
2783735Imagem SISB46DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISB46DN-T1-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
3000+
$0.376
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SISB46DN-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    11.71 mOhm @ 5A, 10V
  • Power - Max
    23W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Outros nomes
    SISB46DN-T1-GE3TR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 20V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Standard
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Descrição: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Descrição: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Descrição: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Descrição: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Descrição: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Descrição: SMALL SIGNAL+P-CH

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair