SISS02DN-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SISS02DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SISS02DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8S
Série

TrenchFET® Gen IV
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

5W (Ta), 65.7W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8S
Outros nomes

SISS02DN-GE3
SISS02DN-T1-GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 51A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

51A (Ta), 80A (Tc)

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