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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SQJB68EP-T1_GE3
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5306607Imagem SQJB68EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJB68EP-T1_GE3

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SQJB68EP-T1_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SQJB68EP-T1_GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    92 mOhm @ 4A, 10V
  • Power - Max
    27W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-PowerTDFN
  • Outros nomes
    SQJB68EP-T1_GE3TR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Standard
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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