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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SUM60030E-GE3

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Imagem SUM60030E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUM60030E-GE3

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10+

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100+

$2.671

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SUM60030E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SUM60030E-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (D2Pak)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

375W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SUM60030E-GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7910pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

7.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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