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6003395Imagem GP1M003A080H.Global Power Technologies Group

GP1M003A080H

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    GP1M003A080H
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    GP1M003A080H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    94W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    696pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    800V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

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Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A050PG

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Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP1M004A090H

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050FG

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Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A080PH

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A090PH

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M005A050CH

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Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M005A040CG

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Descrição: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A080CH

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M004A090FH

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP1L53V

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Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1M003A090C

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M005A040PG

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Descrição: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M005A050FH

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Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1L57

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Descrição: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1M005A050FSH

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Descrição: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A040PG

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Descrição: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M003A040CG

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Descrição: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
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GP1M003A080FH

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
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