Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > GP1M005A040CG

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

3340751

GP1M005A040CG

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

GP1M005A040CG
Fabricante / Marca

SemiQ
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

GP1M005A040CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-Pak
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

50W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

522pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

400V
Descrição detalhada

N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.4A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

A placa gráfica NVIDIA RTX 5090 possui uma área de GPU de...

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Envio

Pagamento

O seguinte é "GP1M005A040CG" produtos relacionados.

GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A050H

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M006A065F

Descrição: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A050FSH

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A080H

Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A080PH

Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A090C

GP1M003A090C

Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A050PH

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M006A065FH

Descrição: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A090PH

Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M004A090H

Descrição: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A080FH

Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M004A090FH

Descrição: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A040PG

Descrição: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A050HS

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Descrição: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A050HG

Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M005A050FH

Descrição: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP1M003A050PG

Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.