Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > GP1M020A060M
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
6374027Imagem GP1M020A060M.Global Power Technologies Group

GP1M020A060M

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    GP1M020A060M
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    GP1M020A060M.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-3P
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    347W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2097pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

26/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "GP1M020A060M" produtos relacionados.
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Descrição: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Descrição: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Descrição: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Descrição: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Descrição: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Descrição: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

Fabricantes: Socle Technology Corporation
Disponível
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Descrição: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Descrição: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Descrição: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Descrição: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Descrição: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Descrição: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Fabricantes: Socle Technology Corporation
Disponível
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Descrição: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Descrição: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Descrição: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Descrição: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Disponível
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Descrição: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Descrição: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Fabricantes: Socle Technology Corporation
Disponível
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Descrição: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.