GP2M004A060HG

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Especificações

Modelo do Produto

GP2M004A060HG
Fabricante / Marca

SemiQ
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

GP2M004A060HG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

86.2W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "GP2M004A060HG" produtos relacionados.

GP2M002A065HG

Descrição: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP2M004A060HG

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