GP2M002A065PG

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Especificações

Modelo do Produto

GP2M002A065PG
Fabricante / Marca

SemiQ
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

GP2M002A065PG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

52W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

353pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "GP2M002A065PG" produtos relacionados.

GP2M004A060FG

Descrição: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group

Disponível

GP2M002A065PG

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