Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > LSIC2SD120C05
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
6592908Imagem LSIC2SD120C05.Hamlin / Littelfuse

LSIC2SD120C05

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$3.164
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    LSIC2SD120C05
  • Fabricante / Marca
    Hamlin / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    LSIC2SD120C05.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.8V @ 5A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    1200V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-252, (D-Pak)
  • Velocidade
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Série
    Gen2
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    0ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    F10086TR
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    25 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrição detalhada
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 18.1A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Atual - rectificada média (Io)
    18.1A (DC)
  • Capacitância @ Vr, F
    310pF @ 1V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

26/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "LSIC2SD120C05" produtos relacionados.
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
SF38GHR0G

SF38GHR0G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
BAS20LT1

BAS20LT1

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
BAS 3005B-02V E6327

BAS 3005B-02V E6327

Descrição: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
VS-ETH1506SHM3

VS-ETH1506SHM3

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
VS-30ETH06STRRPBF

VS-30ETH06STRRPBF

Descrição: DIODE FRED 30A D2PAK

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
1N3294

1N3294

Descrição: STANDARD RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
SDURB1030TR

SDURB1030TR

Descrição: DIODE GEN PURP 300V D2PAK

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Disponível
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
R5000610XXWA

R5000610XXWA

Descrição: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Descrição: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Descrição: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Descrição: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse
Disponível
RFQ
CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M)

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.