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IS43DR86400D-25DBLI-TR

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Disponível
2000+
$7.504
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IS43DR86400D-25DBLI-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IS43DR86400D-25DBLI-TR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    60-TFBGA
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    512Mb (64M x 8)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Freqüência de relógio
    400MHz
  • Tempo de acesso
    400ps

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IS43DR86400E-3DBLI-TR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI-TR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400D-3DBI

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400D-3DBLI-TR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400C-25DBLI

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
RFQ
IS43DR86400E-25DBLI-TR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400E-3DBL

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400D-25DBLI

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400E-3DBLI

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR86400D-3DBI-TR

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Disponível
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IS43DR86400C-3DBLI

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Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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