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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH32N50

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6549181

Imagem IXFH32N50.

IXYS Corporation

IXFH32N50

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFH32N50
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFH32N50.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247AD (IXFH)
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

150 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

360W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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