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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH36N55Q2

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6635776

Imagem IXFH36N55Q2.

IXYS Corporation

IXFH36N55Q2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

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$16.488

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFH36N55Q2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFH36N55Q2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247AD (IXFH)
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

180 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

560W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

550V
Descrição detalhada

N-Channel 550V 36A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

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