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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFP8N65X2

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6666085

Imagem IXFP8N65X2.

IXYS Corporation

IXFP8N65X2

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

IXFP8N65X2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

IXFP8N65X2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

450 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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