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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFQ34N50P3

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5992002

Imagem IXFQ34N50P3.

IXYS Corporation

IXFQ34N50P3

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Disponível

1+

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30+

$5.951

120+

$5.422

510+

$4.391

1020+

$3.703

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFQ34N50P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFQ34N50P3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

HiPerFET™, Polar3™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

170 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max)

695W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3260pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 34A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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Forma de pagamento

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