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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR15N100Q3

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843427

Imagem IXFR15N100Q3.

IXYS Corporation

IXFR15N100Q3

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Disponível

1+

$17.81

30+

$14.978

120+

$13.763

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFR15N100Q3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFR15N100Q3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ISOPLUS247™
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 Ohm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

400W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Forma de pagamento

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