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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT30N85XHV

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5332181

Imagem IXFT30N85XHV.

IXYS Corporation

IXFT30N85XHV

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Disponível

1+

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30+

$10.137

120+

$9.148

510+

$7.665

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFT30N85XHV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFT30N85XHV.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268 (IXFT)
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

220 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

695W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

850V
Descrição detalhada

N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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Forma de pagamento

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