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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFX180N25T

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Imagem IXFX180N25T.

IXYS Corporation

IXFX180N25T

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Disponível

1+

$15.38

30+

$12.935

120+

$11.886

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFX180N25T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFX180N25T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PLUS247™-3
Série

GigaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

12.9 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1390W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

345nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

250V
Descrição detalhada

N-Channel 250V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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