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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFY5N50P3

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IXFY5N50P3

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

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$1.869

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFY5N50P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFY5N50P3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252
Série

HiPerFET™, Polar3™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

114W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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