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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA3N120HV

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6710423

Imagem IXTA3N120HV.

IXYS Corporation

IXTA3N120HV

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Disponível

1+

$7.08

50+

$5.693

100+

$5.187

500+

$4.20

1000+

$3.542

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA3N120HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA3N120HV.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

200W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1200V
Descrição detalhada

N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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Envio

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