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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA5N60P

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2989957

Imagem IXTA5N60P.

IXYS Corporation

IXTA5N60P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

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$1.495

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA5N60P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA5N60P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (IXTA)
Série

PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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