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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA6N50D2

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1541844

Imagem IXTA6N50D2.

IXYS Corporation

IXTA6N50D2

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Disponível

1+

$7.02

50+

$5.641

100+

$5.139

500+

$4.162

1000+

$3.51

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTA6N50D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTA6N50D2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (IXTA)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

500 mOhm @ 3A, 0V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

-
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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