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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTJ4N150

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4466341

Imagem IXTJ4N150.

IXYS Corporation

IXTJ4N150

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$8.558

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTJ4N150
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTJ4N150.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1576pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

44.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1500V
Descrição detalhada

N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

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Forma de pagamento

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