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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTM5N100
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1984867

IXTM5N100

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IXTM5N100
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    POWER MOSFET TO-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IXTM5N100.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-204AA
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    180W (Tc)
  • Caixa / Gabinete
    TO-204AA, TO-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2600pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    1000V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 1000V 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-204AA
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    5A (Tc)

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Envio
Pagamento
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IXTN120N25

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IXTM5N100A

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IXTM21N50L

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Descrição: POWER MOSFET TO-3

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Fabricantes: IXYS Corporation
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Descrição: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

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IXTM50N20

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Fabricantes: IXYS Corporation
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IXTM35N30

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Fabricantes: IXYS Corporation
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IXTM1712

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Descrição: POWER MOSFET TO-3

Fabricantes: IXYS Corporation
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IXTM1630

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Descrição: POWER MOSFET TO-3

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
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IXTM67N10

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Descrição: POWER MOSFET TO-3

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
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IXTN102N65X2

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Descrição: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation
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IXTM12N100

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Descrição: POWER MOSFET TO-3

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
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