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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTN22N100L

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2212252

Imagem IXTN22N100L.

IXYS Corporation

IXTN22N100L

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Disponível

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30+

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100+

$34.08

250+

$31.808

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTN22N100L
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTN22N100L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-227B
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

600 mOhm @ 11A, 20V
Dissipação de energia (Max)

700W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes

611085
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 22A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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