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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTN30N100L

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Imagem IXTN30N100L.

IXYS Corporation

IXTN30N100L

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Disponível

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10+

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25+

$47.072

100+

$44.13

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTN30N100L
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTN30N100L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-227B
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

450 mOhm @ 15A, 20V
Dissipação de energia (Max)

800W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes

Q3424174
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 30A (Tc) 800W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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Forma de pagamento

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