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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ200N10T

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1988884

Imagem IXTQ200N10T.

IXYS Corporation

IXTQ200N10T

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Disponível

1+

$6.47

30+

$5.201

120+

$4.739

510+

$3.837

1020+

$3.236

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTQ200N10T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTQ200N10T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

550W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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