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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ26P20P

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2085748

Imagem IXTQ26P20P.

IXYS Corporation

IXTQ26P20P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$5.253

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTQ26P20P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTQ26P20P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3P
Série

PolarP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

170 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2740pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

P-Channel 200V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

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